Especificaciones
| Nº de referencia del fabricante | BS170 |
|---|---|
| Código ULinkHN | UL00-000-6469 |
| Categoría | Diodos <1W |
| Disponibilidad | Disponible · 50 en stock |
Transistor MOSFET BS170 (Canal N)
Transistor MOSFET BS170 (Canal N)
CódigoUL00-000-6469Ref. fabricanteBS170
$1.02 ≈ L 27.57
El BS170 es un transistor MOSFET de canal N de señal pequeña, utilizado en aplicaciones de conmutación de baja potencia y control lógico. Es común en proyectos educativos y prototipos.
Tipo: MOSFET canal N de señal pequeña
Encapsulado: TO-92
Voltaje máximo drenaje-fuente: 60 V
Corriente máxima de drenaje: 0.5 A
Resistencia en conducción: 5 ohmios
Potencia de disipación máxima: 0.8 W
Rango de temperatura de operación: -55 °C a 150 °C
Aplicaciones: Switching de baja potencia, control lógico, amplificadores, proyectos educativos
- MPN: BS170
50 disponibles
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Descripción
El BS170 es un transistor MOSFET de canal N de señal pequeña, utilizado en aplicaciones de conmutación de baja potencia y control lógico. Es común en proyectos educativos y prototipos.
Tipo: MOSFET canal N de señal pequeña
Encapsulado: TO-92
Voltaje máximo drenaje-fuente: 60 V
Corriente máxima de drenaje: 0.5 A
Resistencia en conducción: 5 ohmios
Potencia de disipación máxima: 0.8 W
Rango de temperatura de operación: -55 °C a 150 °C
Aplicaciones: Switching de baja potencia, control lógico, amplificadores, proyectos educativos
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